Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Instant Secure Erase (ISE), 64-layer 3D BiCS FLASH, NVM Express (NVMe) 1.3
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
2
Interner Datendurchsatz
2670 MBps (lesen)/ 1240 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
86870 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
356870 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
10.75 Watt (Durchschnitt) 5.8 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
78 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
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