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Produktbeschreibung
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
512 GB
Formfaktor
M.2
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Leistung
Interner Datendurchsatz
6900 MBps (lesen)/ 5000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
800000 IOPS
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2
Informationen Produktsicherheit
Verantwortliche Person in der EU:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de
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