Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Schnittstelle
U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Halogen Free, TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller, unterstützt NGUID, S.M.A.R.T.
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
5200 MBps (lesen)/ 4000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
850000 IOPS
4 KB Random Write
160000 IOPS
Mittlere Wartezeit
0.02 ms
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 3.0 x4 U.2 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
11 Watt (Lesen) 13.5 Watt (Schreiben) 4 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes
Kennzeichnung
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, RCM
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 10-2000 Hz
