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Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)

Why Choose Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)>

Art.Nr.: MZ-VAP2T0BW
Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Produktbeschreibung
Das Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 bietet Leistung mit einer Speicherkapazität von 2 TB. Durch die Verwendung der Samsung V-NAND TLC-Technologie und der Intelligent TurboWrite 2.0-Technologie gewährleistet dieses interne Solid-State-Laufwerk Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen mit internen Datenraten von bis zu 14.700 MB/s beim Lesen und 13.400 MB/s beim Schreiben. Der M.2 2280-Formfaktor macht es zu einer kompakten Wahl für verschiedene Geräte und verbessert die Gesamtreaktionsfähigkeit des Systems. Das Laufwerk wurde für Zuverlässigkeit entwickelt und verfügt über einen robusten integrierten Kühlkörper und unterstützt TRIM sowie Algorithmen für die automatische Speicherbereinigung, die dazu beitragen, die optimale Leistung über einen längeren Zeitraum aufrechtzuerhalten. Durch die Einhaltung von NVMe 2.0 und einer PCI Express 5.0 x4-Schnittstelle eignet sich diese SSD für anspruchsvolle Aufgaben. Die Gerätetoleranz gegenüber Stößen und Vibrationen sorgt für Langlebigkeit, während die Hardwareverschlüsselung Datensicherheit für sensible Informationen bietet.
  • 2 TB Speicherkapazität für umfangreiche Datenspeicheranforderungen
  • Interne Datenraten von bis zu 14.700 MB/s für eine hohe Leistung
  • Integrierter Kühlkörper für Wärmemanagement und gleichmäßigen Betrieb
  • Unterstützt Hardwareverschlüsselung für sichere Daten
  • Zuverlässig mit einer Lebensdauer von 1,5 Millionen Stunden MTBF
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
2 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, integrierter Kühlkörper, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, PlayStation-kompatibel, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g
Leistung
SSD-Leistung
1200 TB
Interner Datendurchsatz
14700 MBps (lesen)/ 13400 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
2600000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1850000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
8.1 watt (Lesen)
7.9 watt (Schreiben)
4.8 watt (Leerlauf)
4 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667
Farbe
Schwarz
Verpackungsdetails
Box
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 1200 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
  • Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - Solid State Drive
  • Software

Informationen Produktsicherheit
Verantwortliche Person in der EU:
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de

Service für Geschäftskunden und Öffentliche Auftraggeber:

Mo. - Fr. 08:00 - 12:00 Uhr
                    13:00 - 17:00 Uhr

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