Allgemein
Gerätetyp
Solid-State-Disk - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCI Express 4.0 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Bad Block Management, Over Provision, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
1600 MBps (lesen)/ 1000 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
388040 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
358320 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Herstellergarantie
Service & Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
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