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Produktbeschreibung
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
3200 GB
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle
U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Byte pro Sektor
512
Merkmale
Digitally Signed Firmware, Stromausfallschutz (SAS), 176-lagige NAND-Technologie, Secure Execution Environment, Secure Boot, CMOS-under-array (CuA), NAND Block Erase
Höhe
7 mm
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
3
SSD-Leistung
17500 TB
Laufwerkklasse
Enterprise
Interner Datendurchsatz
6800 MBps (lesen)/ 5300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1000000 IOPS
4 KB Random Write
390000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x U.3 PCIe 4.0 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
12.1 Watt (sequenzielles Lesen) 16.6 Watt (sequenzielles Schreiben)
Verschiedenes
TAA-kompatibel
Ja
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Informationen Produktsicherheit
Verantwortliche Person in der EU:
Micron Europe Limited Ballycoolin Business Park Einheit 4 15 Blanchardstown Dublin Ireland crucialberatung@micron.com
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