Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, S.M.A.R.T.
Leistung
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
530 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
70000 IOPS
4 KB Random Write
40000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
1930 mW (Lesen) 170 mW (Leerlauf) 2430 mW (Schreiben)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
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