Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern (Stationär)
Schnittstelle
SAS 22.5Gb/s
Merkmale
128-lagige V-NAND-Technologie
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
4200 MBps (lesen)/ 3700 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
140000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
800000 IOPS
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SAS 22.5Gb/s
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Samsung Electronics GmbH Frankfurter Straße 2 65760 Eschborn Deutschland kundenbetreuung@samsung.de