Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
10000 MBps (lesen)/ 8500 MBps (Schreiben)
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2242
Stromversorgung
Energieverbrauch
3 mW (DevSleep)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
65 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
93% RH under 40 °C